Transistor STP12NM50 MOSFET CANAL N 500V 12A 0.35ohm

Transistor STP12NM50 MOSFET CANAL N 500V 12A 0.35ohm

• Type de canal : N
• Courant continu de Drain maximum : 12 A
• Tension Drain Source maximum : 500 V
• Résistance Drain Source maximum : 350 mΩ
• Tension de seuil maximale de la grille : 5V
• Tension de seuil minimale de la grille : 3V
• Tension Grille Source maximum : -30 V, +30 V
• Type de boîtier : A-220
• Mode canal : Enrichissement
• Catégorie : MOSFET de puissance
• Dissipation de puissance maximum : 160 W
• Capacitance d'entrée typique @ Vds : 1000 pF @ 25 V
• Charge de Grille type @ Vgs : 28 nC @ 10 V
• Température de fonctionnement minimum : -65 °C
• Retard à la conduction typique : 20 ns
• Matériau du transistor : Si
• Série : MDmesh
• Température d'utilisation maximum : +150 °C
• Dimensions : 10.4 x 4.6 x 9.15mm