TRANSISTOR FQP10N60C MOSFET de puissance, Canal N, 9.5 A, 600 V

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TRANSISTOR FQP10N60C MOSFET de puissance, Canal N, 9.5 A, 600 V

TRANSISTOR FQP10N60C MOSFET CANAL N

  • Polarité transistor: Canal N 
  • Courant de drain Id: 9.5A 
  • Tension Vds max..: 600V 
  • Résistance Rds(on): 0.6ohm 
  • Tension, mesure Rds: 10V 
  • Tension de seuil Vgs: 4V 
  • Dissipation de puissance Pd: 156W 
  • Boîtier de transistor: TO-220 
  • Température de fonctionnement max..: 150°C

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