Transistor G12N60C3D IGBT Canal N 600V 12A

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​Transistor G12N60C3D IGBT Canal N 600V 12A

 

  • Fabricant : ONSEMI
  • Type de transistor : IGBT
  • Tensions collecteur-émetteur : 600V
  • Courant du collecteur : 12A
  • Puissance de dissipation : 104W
  • Boîtier : TO247-3
  • Tension entrée - émetteur : ±20V
  • Courant du collecteur d'impulsion : 96A
  • Montage : THT
  • Charge d'entrée : 71nC

 

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